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本发明公开了一种BiVO4/NiOx复合光电极的制备方法，首先用电沉积法在FTO电极上沉积形成BiVO4薄膜，制备出NiTCPP，将NiTCPP滴涂在BiVO4薄膜电极上，退火后使NiTCPP原位转化成NiOx，从而得到BiVO4/NiOx复合光电极。该方法通过退火在BiVO4的表面原位生成NiOx，方法简单、快速、安全；这种电催化剂的生成方法新颖，与此同时通过原位生长的方式有助于促进向催化位点的电子转移过程。该方法更加有利于电子和空穴的分离，进一步提高PEC性能，为光电化学水裂解提供了一种有效
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112251763 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202010844413.3 C25D 9/04 (2006.01)
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