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公开了保护集成电路免受源极和/或漏极触点的钻孔的技术。一种集成电路，包括位于绝缘体上硅(SOI)衬底的半导体膜中和半导体膜上的MOS晶体管。SOI衬底在掩埋绝缘体层下方具有第一背栅极区和两个第一辅助区，它们分别位于MOS晶体管的源极接触区和漏极接触区下方。两个第一辅助区的导电类型与第一背栅极区的导电类型相反。两个第一辅助区的导电类型与MOS晶体管的源极接触区和漏极接触区的导电类型相同。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112234060 A
(43)申请公布日
2021.01.15
(21)申请号 20201
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