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本发明提供了一种生产铸造单晶时籽晶重复利用方法，包括以下步骤：（a）直拉单晶棒去除边皮，再经过切割后得到长方体形状的籽晶；（b）将所述籽晶铺设在坩埚底部；（c）在所述籽晶层上放置原生多晶硅料和头尾边等多晶回收料；（d）采用半融工艺得到铸造单晶硅锭；(e)将铸造单晶硅锭进行开方得到小方锭；（f）对尾料籽晶进行磨边，得到小籽晶；（g）将小籽晶铺设在坩埚底部，重复步骤c和步骤d得到铸造单晶锭。本发明实现了籽晶的重复利用，大大降低了铸造单晶硅锭的籽晶成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112226810 A
(43)申请公布日
2021.01.15
(21)申请号 20191
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