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本发明公开了一种脉冲掺杂电子阻挡层的深紫外LED及其制备方法，所述脉冲掺杂电子阻挡层的深紫外LED由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、脉冲掺杂电子阻挡层、p型AlGaN注入层和p型GaN接触层；所述脉冲掺杂电子阻挡层为各反应源以时间上分离的方式分别通入后生长得到，每次通入一种反应源，所述反应源包括Al源、Ga源、Mg源及氨气。本发明通过采用脉冲式沉积方式来生长脉冲掺杂电子阻挡层，增强了表面效应，显著提高了Mg掺入到AlGaN中的掺杂浓度
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112242463 A
(43)申请公布日 2021.01.19
(21)申请号 202011052832.X
(22)申请日 2020.09.29
(71)申请人 苏州紫灿科技有限公司
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