一种半导体结构的制造方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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一种半导体结构的制造方法.pdf

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本发明提出一种半导体结构的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底上包括垫氧化层；形成光阻层于所述垫氧化层上，所述光阻层暴露出部分所述垫氧化层；通过干法刻蚀对暴露出的所述垫氧化层进行刻蚀，以在所述垫氧化层中形成至少一凹部，其中所述凹部的底部包括残留氧化层，所述残留氧化层的厚度小于所述垫氧化层的厚度；移除所述光阻层，并形成介质层于所述垫氧化层上，所述介质层覆盖所述残留氧化层；通过干法刻蚀移除位于所述垫氧化层和所述残留氧化层上的所述介质层，保留与所述凹部侧壁接触的所述介质层，以形成介质侧墙。本发明提出的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112233978 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011424911.9 (22)申请日 2020.12.09 (71)申请人晶芯成（北京）科技有限公司