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一种三维存储器元件及其制造方法，三维存储器元件包括基底、第一叠层结构、第二叠层结构以及刻蚀终止层。基底具有存储单元区以及周边区。第一叠层结构配置于存储单元区以及周边区上，且在存储单元区具有穿过第一叠层结构的至少一第一垂直通道柱。第二叠层结构位于第一叠层结构上、配置于存储单元区以及周边区上，且在存储单元区具有穿过第二叠层结构的至少一第二垂直通道柱。第二垂直通道柱电性连接至第一垂直通道柱。刻蚀终止层位于第一叠层结构与第二叠层结构之间、配置于存储单元区上并延伸至周边区上，且环绕第二垂直通道柱的下部。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112242403 A
(43)申请公布日
2021.01.19
(21)申请号 20191
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