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本发明涉及一种基于侧入射光电器件的分布式布拉格反射器制作方法,属于分布式布拉格反射器技术领域。制备操作步骤如下:(1)在基板上干法刻蚀深槽状的预留空间,(2)采用原子层沉积法在预留空间内沉积生长种子层,种子层材料为氧化硅或氮化硅;(3)采用等离子体增强化学气相沉积法,在种子层上生长薄膜层,薄膜层由至少分别交替三次的氧化硅薄膜或氮化硅薄膜构成;(4)采用电感耦合等离子体刻蚀去除多余的薄膜层,保留与水平设置的波导型探测器结构的有源区结构相对应的预留空间内垂直侧壁上的薄膜层,形成呈垂直状态的分布式布拉
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116154042 A
(43)申请公布日 2023.05.23
(21)申请号 202310255721.6
(22)申请日 2023.03.16
(71)申请人 中国科学技术大学
地址 2300
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