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- 2023-05-25 发布于四川
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本发明提供了一种二维材料制备方法,属于二维材料制备的技术领域,通过将基片载置在基片台上,将小片待制备二维材料固定到所述基片中心位置作为籽晶,将从位于基片中心正上方的气流管路处向下通入气态源从而使在籽晶表面均匀扩散,获得各个方向生长均匀的二维材料。使用本发明提供的二维材料制备方法可以可控、可重复地生长大面积直至晶圆级的二维材料。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113201726 A
(43)申请公布日 2021.08.03
(21)申请号 202110483633.2
(22)申请日 2021.04.30
(71)申请人 浙江大学杭州国际科创中心
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