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本发明提供了一种提高锗GeMOS电容器件性能的方法、系统及设备。在制备锗MOS器件结构时，利用等离子增强型原子层沉积设备，通过对锗衬底进行NH3/N2混合等离子体原位预处理，然后在锗衬底上原子层沉积高介电绝缘介质层如二氧化铪，可以提高高介电绝缘介质层和锗衬底之间的层间界面的质量、抑制锗向高介电绝缘介质层的扩散，并对界面的陷阱电荷有重要的限制作用。本发明能够更有效地降低锗MOS器件的漏电流，增加累积电容，改善锗MOS器件的性能，同时，原位NH3/N2混合等离子体处理可以在原子层沉积HfO2薄膜前
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112259613 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202011156256.3
(22)申请日 2020.10.26
(71)申请人 上海交通大学
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