半导体存储器底层晶体管电路及制备方法.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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半导体存储器底层晶体管电路及制备方法.pdf

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半导体存储器底层晶体管电路及制备方法，涉及集成电路技术，本发明的电路包括设置于行线层上方的列线层，行线层和列线层之间为绝缘隔离层，行线和列线的方向相互垂直；在行线和列线交叉处设置有贯穿列线层和绝缘隔离层的孔；孔内填充有上下两段半导体材料，位于孔内上段的半导体材料的掺杂类型与行线相同，位于孔内下段的半导体材料的掺杂类型与行线相反，在每个孔的位置都形成一个三极管。本发明制备工艺简单，成本低。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115988883 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202211641027.X (22)申请日 2022.12.20 (71)申请人成都皮兆永存科技有限公司地址 6