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2023-05-26 发布于四川
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半导体器件.pdf

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一种半导体器件包括衬底上的第一接触插塞、电容器、绝缘分隔层以及第二接触插塞。电容器包括第一电极和第二电极以及介电层。第一电极接触第一接触插塞的上表面，并沿基本垂直于衬底的上表面的竖直方向延伸。第二电极与第一电极间隔开，并沿竖直方向延伸，并且包括分别与第一电极的下表面和上表面基本共面的下表面和上表面。介电层在第一电极和第二电极的侧壁上。绝缘分隔层形成在介电层的在第一电极和第二电极的侧壁上的部分之间。第二接触插塞接触第二电极的上表面。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116156879 A (43)申请公布日 2023.05.23 (21)申请号 202211430632.2 (22)申请日 2022.11.15 (30)优先权数据 10-2021-0162508