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本发明公开了一种降低侧壁缺陷复合Micro‑LED芯片结构及制备方法,在传统Micro‑LED芯片结构基础之上,该芯片结构的P型半导体材料层、P型重掺杂半导体材料层和N型材料传输层之间结构改变;P型重掺杂半导体材料层仅位于P型半导体材料层上方中间区域,N型材料传输层完全覆盖P型半导体材料层和P型重掺杂半导体材料层,其中N型材料传输层与部分P型半导体材料层直接接触;本发明提出的器件结构利用N型材料传输层与P型半导体材料层在接触界面处形成的反偏结,耗尽P型半导体材料层中的空穴,从而减小芯片侧壁区域的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112259652 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202011256425.0
(22)申请日 2020.11.11
(71)申请人 天津赛米卡尔科技有限公司
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