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2023-05-26 发布于四川
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半导体存储器件.pdf

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本发明提供了一种半导体存储器件，具有如下结构：存储单元内的第一栅极晶体管的栅极和第二栅极晶体管的栅极沿存储单元的行方向设置，对于同一行内设置的存储单元，设置多条字线作为一组字线，在同一行内设置的存储单元当中，至少一个存储单元的第一栅极晶体管的栅极和第二栅极晶体管的栅极与一组字线中的一条连接，其他至少一个存储单元的第一栅极晶体管的栅极和第二栅极晶体管的栅极与一组字线中的其他一条连接。本发明的半导体存储器件，可减少器件不必要的工作电流，进而减小半导体存储器件的耗电量，降低了器件功耗。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112289356 B (45)授权公告日 2021.04.16 (21)申请号 202011572842.6 G11C 11/417 (2006.01)