边发射大功率激光器及其制造方法.pdfVIP

下载本文档

18
0
约1.44万字
约 14页
2023-05-26 发布于四川
举报
版权申诉

边发射大功率激光器及其制造方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种边发射大功率激光器及其制造方法，该边发射大功率激光器，包括：依次层叠设置的N型衬底、N型缓冲层、N型覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、P型覆盖层和P型欧姆接触层，所述下波导层和所述有源层为无掺杂；所述有源层整体呈现张应力，且所述张应力的值在阈值范围内；所述P型覆盖层和所述P型欧姆接触层通过蚀刻形成脊形的脊波导。本发明中的边发射大功率激光器采用张应力的有源层，从而端面会自然形成一个无吸收的窗口，可以较好地降低端面吸收而造成的发热，从而提高激光器端面损坏的阈值，提高激光器的输出功率和可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112290384 A (43)申请公布日 2021.01.29 (21)申请号 202011587388.1 (22)申请日 2020.12.29 (71)申请人江西铭德半导体科技有限公司