半导体结构及其制作方法、存储器.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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半导体结构及其制作方法、存储器.pdf

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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器，其中，所述半导体结构包括：多个存储单元、多条字线、多条位线；多个存储单元构成阵列，每一存储单元包括存储结构和位于存储结构上方的晶体管；晶体管包括柱状栅极、介质层及有源层，介质层覆盖柱状栅极的至少部分侧壁及底面，有源层覆盖介质层的侧壁，有源层的底面电连接存储结构；每条位线沿第二方向延伸，电连接同一列的有源层；每条字线沿第一方向延伸，电连接同一行的柱状栅极；第一方向和第二方向相交且均垂直于柱状栅极延伸的方向；有源层底面沿第一方向的尺寸大于有源层顶

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116156874 A (43)申请公布日 2023.05.23 (21)申请号 202211297073.2 (22)申请日 2022.10.21 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 23