一种基于应力硅的电光调制器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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一种基于应力硅的电光调制器及其制备方法.pdf

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本发明提供一种基于应力硅的电光调制器及其制备方法，其中，方法包括：提供衬底SOI；通过光刻，在SOI硅层刻蚀出脊型硅波导层以及位于脊型硅波导层两侧的slab层并进行掺杂；其中，所述脊型硅波导层包括第一单晶硅层以及第二单晶硅层，第一单晶硅层与第二单晶硅层之间形成有一通道；在通道内淀积非晶硅；在非晶硅和脊型硅波导层上沉积一层二氧化硅；通过大功率激光器辐射二氧化硅的表面；所述大功率激光器辐射的激光透过所述二氧化硅的表面照射至所述非晶硅，使所述非晶硅退火生成第三单晶硅层，并且使得所述脊型硅波导层在横向的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112269277 A (43)申请公布日 2021.01.26 (21)申请号 202011075048.0 (22)申请日 2020.10.09 (71)申请人三明学院地址 36