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本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括衬底、位于衬底上的Ⅲ族氮化物异质结、位于Ⅲ族氮化物异质结上的能量吸收层和半导体层、及金属电极，所述Ⅲ族氮化物异质结包括位于衬底上的沟道层及位于沟道层上的势垒层，所述金属电极包括位于位于Ⅲ族氮化物异质结上的源极和漏极、以及位于能量吸收层上且位于源极和漏极之间的栅极，所述能量吸收层全部或部分区域为F离子注入区，通过F离子注入以调控阈值电压。本发明在栅下区域设置了F离子注入区并作为能量吸收层，有效地减少了离子注入过程中的损伤
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112289860 A
(43)申请公布日
2021.01.29
(21)申请号 20191
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