栅极氧化层的形成方法.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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栅极氧化层的形成方法.pdf

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本发明提供了一种栅极氧化层的形成方法，应用于半导体技术领域。在本发明提供的一种栅极氧化层的形成方法中，通过在氧化工艺形成栅极氧化层之前，半导体衬底已进行的离子注入工艺中注入离子的剂量，以及所述半导体衬底在安全水槽等待作业阶段的时间，适应性的调整用于制作栅极氧化层的氧化工艺参数，从而实现了生长出厚度可控的栅极氧化层，进而提高了栅极氧化层的稳定性，满足了不同产品的性能设计需求。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112289682 A (43)申请公布日 2021.01.29 (21)申请号 202011191792.7 (22)申请日 2020.10.30 (71)申请人上海华力微电子有限公司