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2023-05-26 发布于四川
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一种清洁硅基器件的方法.pdf

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本发明公开了一种清洁硅基器件的方法。所述方法包括：提供包含OH‑的腐蚀液，使所述腐蚀液与静电吸附有脏污的硅基器件底部接触，所述腐蚀液中的OH‑与硅反应生成氢气，且所述氢气产生的向上的作用力至少能够使脏污克服静电吸附的作用力，进而从所述硅基器件底部的脏污去除，实现硅基器件的清洁。本发明提供的解决硅基V槽底部脏污静电吸附的方法，通过腐蚀的形式，利用硅与氢氧根离子反应产生的氢气，将由于静电吸附的脏污顶起，使其悬浮于溶液中，从而去除V槽底部的脏污，大大提高晶圆良率，可以被广泛应用于硅基V槽制作流程中。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259445 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011123805.7 (22)申请日 2020.10.20 (71)申请人苏州苏纳光电有限公司

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