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本发明涉及CMOS图像传感器的像素结构,具体涉及一种双端口CMOS图像传感器像素结构及5T像素结构,解决了现有CMOS图像传感器时间分辨能力低的技术问题。本发明提供的像素结构为轴对称结构,包括一个光电二极管、两个电荷转移晶体管和两个存储节点。其中,光电二极管为轴对称的多边形结构,由多个类梯形和一个类锥形组成;电荷转移晶体管栅极的主体结构为斜矩形,其一侧分别与类锥形形状的两条腰线接触;存储节点为直角三角形结构,其斜边分别与两个电荷转移晶体管栅极的另一侧接触。本发明能够在光电二极管内部产生电荷转移电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116153953 A
(43)申请公布日 2023.05.23
(21)申请号 202211667879.6
(22)申请日 2022.12.23
(71)申请人 西北核技术研究所
地址 7100
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