1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

用于非易失性存储介质的减少次数的擦除验证.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约3.19万字
  • 约 28页
  • 2023-05-26 发布于四川
  • 举报

用于非易失性存储介质的减少次数的擦除验证.pdf

    存储阵列包括存储单元的多条字线，该存储单元的多条字线可以被选择性地充电到擦除电压或禁止电压。与存储阵列相关联的控制逻辑可以分阶段执行擦除验证。在第一次擦除验证上，控制逻辑可以将擦除块或子块的字线设置为第一擦除电压。在第二次擦除验证上，控制逻辑可以触发第二擦除脉冲并且将通过的字线设置为禁止电压，并且将失败字线设置为高于第一电压的第二擦除电压。禁止已经通过的字线可以减少字线之间的阈值电压差。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112313747 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 201880094774.1 (51)Int.Cl.

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >