晶圆的湿法清洗方法.pdfVIP

晶圆的湿法清洗方法.pdf

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本发明涉及晶圆的湿法清洗方法，涉及半导体集成电路制造技术，在进行湿法清洗时，清洗液从晶圆的边缘开始喷射并逐渐移动至晶圆的中心位置，而避免火山型缺陷集中在晶圆中心位置，并同时可减少晶圆面内的火山型缺陷，而提高半导体器件的良率，本发明仅通过改变清洗液的喷射路线即可实现，工艺简单，成本较低。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259443 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011083802.5 (22)申请日 2020.10.12 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

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