一种直接法合成三烷氧基硅烷单体产生的低聚物处理方法.pdfVIP

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2023-05-27 发布于四川
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一种直接法合成三烷氧基硅烷单体产生的低聚物处理方法.pdf

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本发明公开了一种直接法合成三烷氧基硅烷单体产生的低聚物处理方法，其包括以下步骤：1)先向反应瓶中投入直接法合成三烷氧基硅烷单体产生的低聚物、催化剂A、阻聚剂，然后升至80～90℃后向反应瓶中通入乙炔气体，反应4‑5h后抽取样检测反应液是否含氢，当反应液不含氢时反应结束，得到乙烯基硅烷低聚物；2)将所述乙烯基硅烷低聚物转移到反应釜中，并加入催化剂B、除水剂、有机醇溶液，在70～80℃下反应全回流裂解反应2～3h，然后控制回流比在1～3之间，收集80～160℃段的不同低压蒸馏馏份。本发明的处理方法彻

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112300206 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 202011205256.8 (22)申请日 2020.11.02 (71)申请人湖北新蓝天新材料股份有限公司

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