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一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底上形成有底部核心材料层,底部核心材料层上形成有多个分立的顶部核心层,相邻顶部核心层之间的区域为凹槽,且凹槽包括连接槽;形成保形覆盖顶部核心层和底部核心材料层的第一侧墙膜;在第一侧墙膜露出的剩余连接槽中形成阻挡结构;以阻挡结构为掩膜,去除顶部核心层顶部和底部核心材料层上的第一侧墙膜,形成第一掩膜侧墙;去除顶部核心层;以所述第一掩膜侧墙和阻挡结构为掩膜,图形化底部核心材料层形成底部核心层;在底部核心层的侧壁上形成第二掩膜侧墙;去除底部核心层。通
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112309838 A
(43)申请公布日
2021.02.02
(21)申请号 20191
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