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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有底部核心材料层，底部核心材料层上形成有多个分立的顶部核心层，相邻顶部核心层之间的区域为凹槽，且凹槽包括连接槽；形成保形覆盖顶部核心层和底部核心材料层的第一侧墙膜；在第一侧墙膜露出的剩余连接槽中形成阻挡结构；以阻挡结构为掩膜，去除顶部核心层顶部和底部核心材料层上的第一侧墙膜，形成第一掩膜侧墙；去除顶部核心层；以所述第一掩膜侧墙和阻挡结构为掩膜，图形化底部核心材料层形成底部核心层；在底部核心层的侧壁上形成第二掩膜侧墙；去除底部核心层。通

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112309838 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 20191

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