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基于二维碲化铂纳米薄膜与硅的自驱动肖特基结型超宽波段光电探测器及其制备方法.pdfVIP

基于二维碲化铂纳米薄膜与硅的自驱动肖特基结型超宽波段光电探测器及其制备方法.pdf

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    本发明公开了基于二维碲化铂纳米薄膜与硅的自驱动肖特基结型超宽波段光电探测器及其制备方法，是在Si基底上生长二维PtTe2纳米薄膜，Si与PtTe2形成肖特基结，从而构建成为自驱动肖特基结型超宽波段光电探测器。本发明光电探测器的制备工艺简单易实现，且在室温下实现了多波段融合(紫外‑可见光‑红外)、高灵敏度、高探测率和快响应速度，为高性能宽波段光电探测器的设计提供了一种途径。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112310238 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 202011162898.4 (22)申请日 2020.10.27 (71)申请人 合肥工业大学 地址

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