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本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种具有隧穿钝化的P型晶体硅太阳能电池及其制备方法，包括P型衬底，其特征在于，所述的P型衬底正面由内到外依次设有选择性发射极、超薄隧穿氧化硅层、磷掺杂多晶硅层、正面氧化硅钝化层和正面氮化硅钝化层，所述的P型衬底背面由内到外依次背面氧化铝钝化层和背面氮化硅化层，正面氮化硅钝化层上设有正面金属银栅线，P型衬底背面设有背面金属铝栅线，所述的背面金属铝栅线贯穿背面氧化铝钝化层和背面氮化硅化层。本发明结构非常薄，在解决硅片光吸收的同时，有效地降低了电池的表面复合速率
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112310231 A
(43)申请公布日 2021.02.02
(21)申请号 202011318826.4
(22)申请日 2020.11.23
(71)申请人 天合光能股份有限公司
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