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本技术涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：第一层叠物，其包括彼此交替层叠的第一层间绝缘层和第一导电图案；第二层叠物，其包括在第一层叠物上彼此交替层叠的第二层间绝缘层和第二导电图案；多个沟道插塞，其穿过第一层叠物和第二层叠物垂直地形成；以及至少一个虚设插塞，其穿过第二层叠物而没有穿过第一层叠物而垂直地形成。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112310098 A
(43)申请公布日
2021.02.02
(21)申请号 20191
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