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状态寄存器存储阵列及其设计方法、存储芯片、电子设备.pdfVIP

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  • 2023-05-27 发布于四川
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状态寄存器存储阵列及其设计方法、存储芯片、电子设备.pdf

    本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种状态寄存器存储阵列及其设计方法、存储芯片、电子设备，其中，状态寄存器存储阵列用于存储参数信息，所述状态寄存器存储阵列的至少一条字线上具有多个用于存储同类功能的参数信息的状态寄存器存储单元；该状态寄存器存储阵列通过将具有多个用于存储同类功能的参数信息的状态寄存器存储单元设置在同一字线上，能在避免产生擦除干扰影响参数信息读取准确性的情况下，设置更多的功能参数以满足客户的额外功能需求或通过去除多余的字线以缩小状态寄存器存储阵列的体积。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116168746 A (43)申请公布日 2023.05.26 (21)申请号 202310242925.6 (22)申请日 2023.03.14 (71)申请人 上海芯存天下电子科技有限公司 地址

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