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本发明涉及一种硅衬底上外延含Ga氮化物薄膜的叠层掩模方法和外延生长方法。该叠层掩模方法将三维叠层掩模的底层窗口的宽度变窄，使得所述底层窗口露出的用于成核的硅衬底的横向尺寸接近于含Ga氮化物最初形成的原子岛的尺寸。优选地，所述底层窗口的宽度为10～50nm。本发明减少了Si衬底上外延含Ga氮化物薄膜需要AlN预制层的工艺步骤，从而节省了时间，提高了生产效率，提高了产品良率，降低了生产成本。本发明的高质量材料生长技术在含Ga氮化物产业具有重要的应用价值。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112309841 A
(43)申请公布日
2021.02.02
(21)申请号 20191
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