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本发明提供一种硅基集成量子芯片、制备及测试方法，将超导纳米线集成在硅波导的上方，使得超导纳米线与硅波导通过氧化硅覆盖层形成倏逝波耦合，可实现波导耦合的片上单光子探测；通过位于超导纳米线与硅波导之间的氧化硅覆盖层，可实现较高的倏逝波吸收率，且氧化硅覆盖层在生长超导纳米线时可充当掩膜，避免损伤硅波导，以降低硅波导的损耗；经CMP之后的具有较小的表面粗糙度的氧化硅覆盖层可确保超导纳米线的平整性，以减小暗计数，提高量子性能；可制备多通道的硅基集成量子芯片。本发明可实现集成化、规模化，并可靠保持高保真度的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112305670 A
(43)申请公布日 2021.02.02
(21)申请号 202011409416.0
(22)申请日 2020.12.04
(71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术
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