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一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底;刻蚀基底,形成初始衬底和凸出于初始衬底的顶部鳍部;在顶部鳍部侧壁上形成保护层;刻蚀保护层和顶部鳍部露出的部分厚度初始衬底,形成衬底以及位于衬底和顶部鳍部之间的初始底部鳍部;以保护层为掩膜,对初始底部鳍部进行减薄处理,适于使剩余初始底部鳍部的顶部宽度小于顶部鳍部的底部宽度,在减薄处理后,剩余初始底部鳍部作为底部鳍部,底部鳍部与顶部鳍部构成鳍部;在鳍部露出的衬底上形成隔离结构,隔离结构顶部低于顶部鳍部底部。本发明分别形成顶部鳍部和初始底部鳍部,并结
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112309977 A
(43)申请公布日
2021.02.02
(21)申请号 20191
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