原创力文档- 4
- 0
- 约6.05千字
- 约 7页
- 2023-05-27 发布于四川
- 举报
本发明提供一种改善电镀铜工艺后凹坑缺陷的方法，在晶圆上形成电介质层；刻蚀电介质层形成沟槽；在沟槽表面形成种子阻挡层；对晶圆进行预清洗，以增加晶圆上沟槽的湿润度；对沟槽通过电镀进行铜的填充；研磨沟槽上表面，使沟槽上表面平坦化。本发明通过对通孔预清洗可以提高晶圆表面湿润度，在电镀铜填充时，由于晶圆表面过于干燥导致入水时湿润度效果不好，气泡不易排出电镀易产生空洞，增加预清洗这一步骤可以有效改善晶圆入水时湿润度效果差的问题，从而提高间隙填充能力，防止缺陷的产生。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116169093 A
(43)申请公布日 2023.05.26
(21)申请号 202111409294.X
(22)申请日 2021.11.25
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
地址
文档评论（0）