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本案提供一种集成电路元件，包括多个金属栅极及多个多晶硅栅极，每个金属栅极具有金属电极及高介电常数介电质，每个多晶硅栅极具有多晶硅电极及习用(非高介电常数)介电质。多晶硅栅极已经为作为高压栅极操作进行了改进，此高压栅极包括厚介电层及大于1μm2的面积。具有这些改进的多晶硅栅极可在10V或更高的栅极电压下操作，并且可用于嵌入式记忆体元件中。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112349723 A
(43)申请公布日
2021.02.09
(21)申请号 20191
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