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本发明公开了一种ReRAM存储器阵列,该ReRAM存储器阵列包括ReRAM单元的行和列。该阵列的行和列中的每个ReRAM单元包括ReRAM器件,该ReRAM器件具有耦接到与该阵列的包含该ReRAM器件的行相关联的偏置线的离子源端。第一晶体管耦接在该ReRAM器件的固体电解质端和与该阵列的包含该ReRAM单元的列相关联的位线之间。该第一晶体管具有耦接到与包含该ReRAM单元的行相关联的第一字线的栅极。第二晶体管耦接在该ReRAM器件的固体电解质端和与该阵列的包含该ReRAM单元的列相关联的位线之间
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112352281 A
(43)申请公布日 2021.02.09
(21)申请号 201980038713.8 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公
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