存储器的阵列共源极及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-27 发布于四川
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存储器的阵列共源极及其形成方法.pdf

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一种存储器的阵列共源极及其形成方法，所述形成方法本发明的存储器的阵列共源极的形成方法，由于栅极隔槽中形成的阵列共源极包括第一部分和位于第一部分两侧的第二部分，且所述第一部分的宽度大于第二部分的宽度，当后续在堆叠结构和阵列共源极上的介质层中形成与阵列共源极的第一部分连接的金属连接结构时，即使由于光刻工艺的偏差、套刻误差或者堆叠结构的变形等因素造成介质层中形成的开口的位置产生一些偏差时，开口中形成的金属连接结构只会与阵列共源极连接，金属连接结构不会与顶层控制栅(顶层选择栅)连接并且两者之间的绝缘层厚

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111403400 A (43)申请公布日 2020.07.10 (21)申请号 20201