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提供了一种三维(3D)存储器件及其制造方法。所述方法包括以下步骤。在衬底上形成交替的电介质堆叠层。形成开口，所述开口在衬底的厚度方向上穿透交替的电介质堆叠层。在开口的侧壁上形成阻隔层。在开口中形成捕获层，并且在阻隔层上形成捕获层。捕获层包括下部和设置在下部上方的上部。上部在水平方向上的厚度大于下部在水平方向上的厚度。修改捕获层的厚度分布以改善3D存储器件的电性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112310113 A
(43)申请公布日 2021.02.02
(21)申请号 202011405101.9
(22)申请日 2019.09.26
(62)分案原申请数据
2019800
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