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垂直半导体装置及其制造方法。一种用于制造垂直半导体装置的方法可以包括以下步骤：制备包括第一区域和第二区域的基板；在基板上形成下交替层叠；蚀刻下交替层叠以在第二区域中形成下开口；在下开口和下交替层叠上形成上交替层叠，以在第二区域中形成由于填充下开口而导致的凹进部分；使用凹进部分作为对准键而在上交替层叠上形成掩模层；并且通过使用掩模层作为阻挡件蚀刻上交替层叠以在第一区域中形成图案。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112310099 A
(43)申请公布日
2021.02.02
(21)申请号 20191
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