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本发明公开了一种可提高薄膜体声波谐振器品质因子Q值的结构，包括衬底、压电振荡堆、第一空腔、第二空腔；还可包括有终止层；所述的压电振荡堆包括下电极、压电层和上电极，其中所述第二空腔的宽度与第二空腔距第一空腔边缘的最短距离相等。本发明通过增加空腔结构或结合改变部分结构，可以优化FBAR压电振荡堆的状态，从而较好的改善边界声阻抗条件，抑制寄生横波的存在，进而达到提高器件的Q值的目的，产品的良率也得到较大的提升，可大大增强产品的市场竞争力。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112311347 A
(43)申请公布日 2021.02.02
(21)申请号 202011109253.4
(22)申请日 2020.10.16
(71)申请人 浙江大学杭州国际科创中心
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