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本发明涉及一种发光器件及其制作方法，该发光器件包括基板以及设置在基板上的阳极层、发光层和阴极层，发光层设置在阳极层和阴极层之间，阳极层和发光层之间设置有层叠设置的空穴注入层、界面层以及空穴传输层。本发明通过在空穴注入层和空穴传输层之间的界面设置界面层，采用的界面层的HOMO能级至少比空穴传输层的HOMO能级大0.2eV，能够有效地减小空穴注入势垒，促进阳极至空穴传输层之间行成欧姆接触，从而提高了QLED的空穴注入能力，并降低了QLED的阻抗，提高了QLED的效率和寿命。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112331788 A
(43)申请公布日
2021.02.05
(21)申请号 20191
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