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半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层上具有第一牺牲膜；在第一牺牲膜上形成第二牺牲层，相邻的第二牺牲层之间具有第一槽或第二槽；在第二牺牲层侧壁形成第一侧墙，第一槽的宽度与第一侧墙的厚度之比大于2:1；以第一侧墙为掩膜刻蚀第一牺牲膜，形成第一牺牲层，相邻的第一牺牲层之间具有第三槽或第四槽；在第三槽内形成第二侧墙，第二侧墙填充满第三槽。通过将第一槽的宽度设置大于第一侧墙的厚度的2倍，降低了第一槽与第二槽之间的宽度尺寸差距，进而降低了对形成第二牺牲层工艺的要求，简化制程步骤，提高生产

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112951718 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 20191

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