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本发明涉及一种半导体材料复介电函数确定方法，首先根据参考信号(空气)和待测半导体的THz‑TDS确定待测半导体的近似复折射率，并进一步评估待测半导体对太赫兹(THz)吸收的强弱。当吸收较弱时，待测半导体的近似复折射率即为理论复折射率；当吸收较强时，通过建立理论复传输函数和实验复传输函数的误差函数，并利用MATLAB中的全局优化函数GlobalSearch进行优化计算，确定使误差函数值最小的理论复折射率。最后，通过复折射率与复介电函数之间的转换关系确定待测半导体的复介电函数。该方法操作流程清晰，分
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112304895 A
(43)申请公布日 2021.02.02
(21)申请号 202011304234.7
(22)申请日 2020.11.19
(71)申请人 西北工业大学
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