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实施方式涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法。实施方式的等离子体处理装置具备配置在处理室的上部电极、载置台、高频供电部、虚设环、及冷却部。载置台在处理室内与上部电极对向配置,具有下部电极,且载置晶片。高频供电部对下部电极与上部电极之间供给高频电力。虚设环为包围载置在载置台的晶片的环状周缘部的环状部件。在虚设环与晶片的交界区域中,从自晶片离开的方向侧由冷却部将虚设环冷却。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112331545 A
(43)申请公布日
2021.02.05
(21)申请号 20201
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