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本发明公开了一种氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜及其制备方法，属于透明导电薄膜材料领域。提供的氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜的制备方法包括在CVD法制备石墨烯薄膜时第一次掺杂适量氮硼和在将氮、硼共掺杂石墨烯引入目标基体时的第二次掺杂过程，两次掺杂工艺简单，掺杂剂掺杂稳定，使得制备得到的氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜不仅具有较小的厚度，还具有较低的方阻，可以直接应用于高性能复合材料、柔性显示与柔性电子器件、电化学储能、光电检测与传感器等领域。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112299401 A
(43)申请公布日 2021.02.02
(21)申请号 202011247446.6
(22)申请日 2020.11.10
(71)申请人 内蒙古科技大学
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