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本发明涉及用于制造微结构组件(4)的方法、微结构组件(4)和X射线设备(1)。将多个点状的孕育结构(22)以沿着第一基板方向和垂直于此的第二基板方向(S1,S2)预设的网格(28)引入到片状的硅基板(26)的第一表面(23)中,并且在第一刻蚀步骤(40)中将孕育结构(22)沿硅基板(26)的深度方向(10)延长成钻孔。在第二刻蚀步骤(50)中至少部分地移除硅基板(26)的第二表面(52)以在后侧打开钻孔并且在第三刻蚀步骤(60)中将各向异性作用的刻蚀介质交替地从硅基板的两个表面(24,52)起冲
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110200647 A
(43)申请公布日
2019.09.06
(21)申请号 20191
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