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一种半导体器件及其形成方法,方法包括:在第一区和第二区的第一掩膜层上形成硬掩膜材料层;刻蚀部分硬掩膜材料层,使硬掩膜材料层形成硬掩膜层,硬掩膜层位于第一区的第一掩膜层上,硬掩膜层在第一掩膜层表面的投影图形在第二方向分割第一区的第一掩膜层,且硬掩膜层还沿第一方向延伸至第二区上,第二方向垂直于第一方向;以所述硬掩膜层为掩膜,刻蚀去除硬掩膜层两侧第一区的部分第一掩膜层,在第一区的第一掩膜层中形成第一槽,且使位于硬掩膜层底部的第一区第一掩膜层形成分割掩膜层,所述分割掩膜层在第二方向上分割所述第一槽。所述
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111640665 A
(43)申请公布日
2020.09.08
(21)申请号 20191
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