图像传感器、用于图像传感器的半导体结构及其制造方法.pdfVIP

图像传感器、用于图像传感器的半导体结构及其制造方法.pdf

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本公开的各种实施例涉及一种包括电荷释放层的图像传感器。光探测器设置在半导体衬底内。刻蚀停止层上覆在光探测器上。滤色片上覆在刻蚀停止层上。介电栅格结构环绕滤色片。电荷释放层夹置在介电栅格结构与刻蚀停止层之间。电荷释放层环绕滤色片且包含导电材料。电荷释放层直接接触滤色片。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112310128 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 20191

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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