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测试结构、测试结构版图及其形成方法和测试方法.pdfVIP

测试结构、测试结构版图及其形成方法和测试方法.pdf

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    本发明提供一种测试结构、测试结构版图及其形成方法和测试方法，通过设计测试结构版图，在形成测试结构时，可以将第一金属层、第一接触结构、第二金属层、第二接触结构和第三金属层之间连接，并形成多个通路，从而可以通过形成的通路对各所述第一接触结构进行测试。在测试方法中，通过测量第一金属层与第三金属层之间的电流值，可以有效的确定第一接触结构是否存在缺陷，从而能够根据测量的结果有效的反映实际的SRAM器件中接触孔工艺的情况。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112310071 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 202011192438.6 (22)申请日 2020.10.30 (71)申请人 上海华力微电子有限公司

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