掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法.pdfVIP

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2023-05-27 发布于四川
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掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法.pdf

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本发明涉及一种掩模坯料，在其透光性基板上具备的相移膜至少包含含氮层和含氧层，含氮层由氮化硅类材料形成，含氧层由氧化硅类材料形成，对含氮层进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对透光性基板进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_s时，用含氮层中的最大峰PSi_f除以透光性基板中的最大峰PSi_s而得到的数值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111758071 A (43)申请公布日 2020.10.09 (21)申请号 201980014769.X (74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所