原创力文档- 71
- 0
- 约1.81万字
- 约 16页
- 2023-05-28 发布于四川
- 举报
公开了一种半导体器件的临时键合与解键合的方法以及半导体器件。该半导体器件的临时键合与解键合方法包括：在第一晶圆上形成第一金属层，第一晶圆中形成有器件结构并且第一金属层形成在第一晶圆的靠近器件结构的一侧；在第二晶圆上形成对应于第一金属层的第二金属层；将第二金属层键合至第一金属层，以使得第二晶圆键合至第一晶圆；在第一晶圆的远离器件结构的一侧进行背面工艺；通过电化学阳极金属溶解进行解键合，以使得第一晶圆与第二晶圆分离。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112382599 B
(45)授权公告日 2021.07.16
(21)申请号 202011256672.0 (56)对比文件
文档评论（0）