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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明提供一种倒装LED芯片制备方法，通过在第二半成品芯片上进行一道MSA光刻，使ITO层表面形成mesa的图案掩膜，对ITO层腐蚀完成后并通过第一道ICP等离子体刻蚀，刻蚀掉部分P型GaN外延层，漏出另一部分P型GaN外延层以及N型GaN外延层，在第三半成品芯片上进行一道ISO光刻，使得第三半成品芯片上形成切割道的图案掩膜，在第五半成品芯片上进行一道PSV光刻，并进行第三道ICP等离子体刻蚀，刻蚀掉漏出的所述N型GaN外延层以及P型GaN外延层，从而使得N型GaN外延层以及P型GaN外延层上的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115832129 A
(43)申请公布日 2023.03.21
(21)申请号 202310146733.5
(22)申请日 2023.02.22
(71)申请人 江西兆驰半导体有限公司
地址 33
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